在半导体的整个制造流程上,可简单的分成IC设计、晶圆制造、晶圆测试以及晶圆封装。晶圆测试又可区分为晶圆针测与晶粒封装后的最后测试(Final Testing),而两个测试的差别是晶圆测试是是针对芯片上的晶粒进行电性以及功能方面的测试,以确保在进入后段封装前,可以及早的将那些功能不良的芯片或晶粒加以过滤,以避免由于不良率的偏高因而增加后续的封装测试成本,而晶粒封装后的功能测试主要则是将那些半导体后段封装过程中的不良品作最后的把关,以确保出厂后产品的品质能够达到标准。 
 
然而晶圆测试的主要功能,除了可将不良的晶粒尽早筛选出来,以节省额外的后段封装的制造成本外,对於前段制程来说,它其实还有一项很重要的功能,也就是针对新产品良率的分析以及前段制程之间的异常问题分析,因为通常在前段新制程开发阶段或者是在产品程序修改后,产品可能会因此而发生良率下滑的情况,为了验证新制程的开发以及让产品能够尽快的上市,這個時候就需要晶圆测试部门在有限的时间内搭配着工程实验分析制程间的差异并在最短的时间内找到真正的根本原因来解决问题,避免让客户的新产品因为制程间的问题而延后上市。 
  
晶圆探针卡是针对整个芯片上的完整晶粒，以探针的方式扎在每颗晶粒上的焊垫进行检测，用来筛选芯片上晶粒之良品与不良品，另外在内存晶圆测试时，可针对可修护之晶粒予以雷射修补，以提高芯片的良率；然而，如何减少测试时间与降低测试时所发生的误宰，则是晶圆针测中的瓶颈。